IBM e Samsung dizem ter criado chip que fará bateria durar uma semana
A IBM e a Samsung anunciaram uma nova tecnologia de chips capaz de dobrar a performance de aparelhos eletrônicos, inclusive o seu celular.
O novo projeto de Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) tem como objetivo suceder a tecnologia atual FinFET, que é usada para alguns dos chips mais avançados de hoje. A nova tecnologia consiste em um design de semicondutores que empilha transistores verticalmente em um chip. Isso pode permitir chips embalados de forma mais densa, permitindo que a corrente flua para cima e para baixo na pilha de transistores, em vez do layout horizontal lado a lado que é usado atualmente na maioria dos chips.
Ainda há um longo caminho a percorrer antes que vejamos aparelhos com chips VTFET nas mãos de consumidores, mas o anúncio deixa grandes expectativas. Segundo a IBM e a Samsung, os chips VTFET podem oferecer uma melhoria duas vezes maior no desempenho ou uma redução de 85% no uso de energia em comparação para projetos FinFET.
Alguns possíveis e ambiciosos usos para os novos chips seriam baterias de celulares que poderiam durar mais de uma semana sem serem carregadas. A IBM e a Samsung também apontam que a tecnologia permitiria menos uso de energia para a mineração intensiva de criptomoedas ou criptografia de dados, dispositivos IoC (Internet das Coisas) ainda mais poderosos e até espaçonaves mais eficientes.
A IBM já havia mostrado seu primeiro chip de 2 nanômetros no início deste ano, que segue um caminho diferente para acumular mais transistores, aumentando a quantidade que pode caber em um chip usando o design FinFET existente.
A VTFET pretende elevar o patamar. Na apresentação da tecnologia, as empresas mostram que conseguiram colocar 50 bilhões de transistores em um chip do tamanho de uma unha.
Tendência
Projetos verticais de semicondutores têm sido uma tendência há algum tempo. A Intel, por exemplo, tem usado alguns benefícios do FinFET, com seu trabalho inicial se concentrando em empilhar componentes de chip em vez de transistores individuais.
Mas, no meio desse ano, a empresa já apresentou uma uma prévia do design do RibbonFET, primeiro transistor completo da Intel, como o seu próprio sucessor da tecnologia de produção FinFET. A nova tecnologia deve fazer parte da geração Intel 20A de produtos semicondutores programados para produção em 2024. A empresa também anunciou recentemente um plano para uma tecnologia de empilhamento de transistores como um sucessor potencial do RibbonFET no futuro.
*Com informações do site The Verge
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